AUIRFN8458TR

功能描述:MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN

制造商:infineon technologies

系列:HEXFET?

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):43A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 26A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 25μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):33nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1060pF @ 25V

功率 - 最大值:34W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerTDFN

供应商器件封装:PQFN(5x6)

标准包装:4,000

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